Mikropiirien valmistustekniikkaLaajuus (6 op)

Osaamistavoitteet

Opintojakson suoritettuaan opiskelija tuntee tavallisimmat mikropiirin valmistuksen vaiheet sekä ymmärtää niiden merkityksen valmistusprosessissa.

Opintojakson suoritettuaan opiskelija osaa laskea oksidointiaikoja ja oksidikerrospaksuuksia, ioni-istutussyvyyksiä ja istutusannoksia, etsausnopeuksia sekä neliövastuksia perustapauksissa. Opiskelija osaa määrittää teoreettisesti fotolitografisen systeemin optisen suorituskyvyn.

Sisältö

Mikropiirien valmistusprosessin päävaiheet: terminen oksidointi ja termiseen oksidoinnin Deal-Grove-malli, fotolitografia (erilaiset tekniikat, säteilyn aallonpituudet, optiikan rajoitukset), diffuusio, ioni-istutuksen periaate (annos, istutussyvyys), etsaus, CVD-prosessit yleisesti, LTO, epitaksia. Neliövastusmittaukset.

Muita termisen oksidin kasvumalleja, röntgenlitografian periaate, elektronisuihkulitografian periaate, muut CVD-ohutfilmityypit ja niiden kasvatus, metallikontaktien valmistus.

Lisätiedot

Luokkahuoneopetusta: 63 h
Laboratoriotöitä: - h
Harjoitustyö: 15 h
Tentti: 3 h
Opiskelijan itseopiskelu: 79 h
Yhteensä: 160 h